Samsung 990 EVO M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

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Samsung 990 EVO, 2 TB, M.2, 5000 MB/s
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Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
59280
1 Artículo

Ficha de datos

SDD, capacidad
2
Factor de forma de disco SSD
M.2
Peso
9
Ancho
80,2
Profundidad
22,1
Altura
2,38
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento
5 - 95
Tipo de embalaje
Caja
Interfaz
PCI Express 4.0
Componente para
Universal
Voltaje de operación
3,3
Intervalo de temperatura de almacenaje
-40 - 85
Golpe (fuera de operación)
1500
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
5 - 95
Tipo de memoria
V-NAND TLC
NVMe
Si
Velocidad de lectura
5000
Velocidad de escritura
4200
Tiempo medio entre fallos
1500000
calificación TBW
1200
Consumo de energía (lectura)
5,5
Consumo de energía (escritura)
4,7
Consumo de energía (espera)
0,06
Vibración no operativa
20
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Consumo energético (en suspensión)
0,005
Encriptación de hardware
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Soporte TRIM
Si
Versión NVMe
2.0
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Revisión PCI Express CEM
4.0
Periodo de garantía
5
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)

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